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化学气相沉积炉(CVD系统)

化学气相沉积炉(CVD系统)

简要描述:这款CVD系统集真空管式炉,多通道气路系统和真空系统组成,可根据用户需要设计生产(有双温区、三温区、多温区),可预抽真空(有高真空、低真空),通多种气氛(供气系统有质子流量器和浮子流量控制器)。性能可靠。控制电路选用模糊PID程控技术,具有控温精度高,温冲幅度小,性能可靠,简单易操作等特点。

产品时间:2020-09-04

浏览量:628次

厂家性质:生产厂家

详细说明:
品牌HAOYUE/皓越升温速度(达到最高温)10℃min
加热方式电阻丝控温精度±1℃
最高温度1200℃价格区间5万-10万
仪器种类管式炉产地类别国产
应用领域化工,地矿,能源,电子,冶金

一、产品应用

  高真空CVD系统是一款专业在沉底材料上生长高质量石墨烯、碳纳米管、碳化硅的专用设备,广泛应用于在半导体、纳米材料、碳纤维、碳化硅、镀膜等新材料新工艺领域。

二、产品特点

  高真空CVD系统主要由高温腔体、石英管、石英支架、气路系统、分子泵机组、自动化控制系统、冷却系统等组成。

1、沉底材料可采用铜箔、石墨等;

2、生长腔体采用进口高纯石英管,配石英支架、为石墨烯等材料的生长提供洁净环境;

3、炉膛采用进口高纯氧化铝多晶体纤维,不易掉粉、寿命长且保温性能好。加热丝采用优质掺钼铁铬铝合金加热丝,温场均匀,能耗低;

4、密封法兰均采用不锈钢材质,配水冷套,可连续长时间工作;

5、气路系统采用两路质量流量计(可拓展多路),配预混系统;

6、气体种类: He/Ar、C2H2、NH3、N2, H2、PH3、GeH4、B2H6;

7、温度、气体、真空、冷却水等通过PLC控制,通过PC实时控制和显示相关的实验参数,自动保存实验参数,也可采用手动控制;

8、系统采用集成化设计,控制系统、混气罐、质量流量计等均内置在箱体内部,占地面积小。整体安装四个可移动轮子,方便整体移动。

三、技术参数 

型号

HTF1200-2.5/20-2F-LV

HTF1200-5/20-4F-HV

HTF1200-6/40-2M-LV 

HTF1200-8/40-4M-HV 

设计温度(℃)

1200 

1200 

1200 

1200 

控温精度(℃)

±1 

±1  

±1  

 ±1 

 加热区直径(mm)

25 

50 

60 

80 

 加热区长度(mm)

200 

200 

400 

400 

 加热管长度(mm)

450 

450 

1000 

1000 

 恒温区长度(mm)

80 

80 

150 

150 

额定电压(V)

220 

220 

220 

220 

额定功率(KVA)

1.2 

1.2 

3 

3 

真空机组

HTF-101 

HTF-103 

HTF-101 

HTF-103 

供气系统

HTF-2F 

HTF-4F 

HTF-2M 

HTF-4M 



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