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等离子增强化学气相沉积炉(PECVD系统)

产品简介

PECVD系统是一种基于等离子体化学气相沉积技术的薄膜沉积设备,能够对各种材料进行薄膜沉积,包括金属、半导体、绝缘体等。PECVD技术在微电子、光电、平板显示、储能等领域具有重要的应用价值。

产品型号:
更新时间:2024-04-11
厂商性质:生产厂家
访问量:5946
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一、PECVD系统产品应用

   PECVD工艺中由于等离子体中高速运行的电子撞击到中性的反应气体分子,就会使中性反应气体分子变成碎片或处于激活的状态容易发生反应;借助射频等使含有薄膜组成原子的气体,在局部形成离子体,而等离子体化学活性很强,很容易反应,在基片上沉积出所期望的薄膜;具有基本温度低、沉积速率快、成膜质量好、针孔较少、不易龟裂等优点;

PECVD系统

PECVD系统

 

二、产品特点

   1、整机采用SUS304不锈钢材质,流线型外观,真空吸附成型的优质高纯氧化铝多晶纤维固化炉膛,保温性能好。

   2、炉子底部装有一对滑轨,移动平稳,可以手动从一端滑向另一端,实现快速的加热和冷却。炉盖可开启,可以实时观察加热的物料。

   3、采用高纯石英管,高温下化学稳定性强,耐腐蚀,热膨胀系数极小。

   4、采用SUS304不锈钢快速法兰,通过用高温“O”型圈紧密密封可获得高真空,一个卡箍就能完成法兰的连接,放、取物料方便快捷。

   5、加热元件采用康奈尔发热丝,表面负荷高、经久耐用。设计温度1200℃,升温速率10℃/min。

   6、可选配多路质量流量计,数字显示、气体流量自动控制;内置不锈钢混气箱,每路气体管路均配有逆止阀,可通过控制面板上的旋钮来调节气体流量。

   7、等离子射频电源:大射频功率达500W,输出频率13.56MHz±0.005%,输入电源 208-240VAC, 单相50/60Hz。

三、技术参数

型号

HTF1200-2.5/20-2M-LV-PE 

HTF1200-5/20-4M-LV-PE 

HTF1200-6/40-2M-HV-PE 

HTF1200-8/40-4M-HV-PE 

设计温度(℃)

1200 

1200 

1200 

1200 

控温精度(℃)

±1 

±1

±1 

±1 

加热区直径(mm)

25 

 50

60 

80 

加热区长度(mm)

200 

 200 

400 

400 

加热管长度(mm)

450 

450 

1000 

1000 

恒温区长度(mm)

80 

80 

150 

150 

额定电压(V)

220 

220 

220 

220

额定功率(KVA)

1.2 

1.2 

射频电源功率(W)

5~300 

5~300 

5~500 

5~500 

真空机组

HTF-101 

HTF-101 

HTF-104 

HTF-104 

供气系统

HTF-2F 

HTF-4F

HTF-2M 

HTF-4M 

 

   PECVD系统是一种基于等离子体化学气相沉积技术的薄膜沉积设备,能够对各种材料进行薄膜沉积,包括金属、半导体、绝缘体等。PECVD技术在微电子、光电、平板显示、储能等领域具有重要的应用价值。
  PECVD系统主要由等离子体源、反应室、气体进料装置、真空泵组成。
  等离子体化学气相沉积是一个非常重要的化学物理过程,其原理是将气态前驱体通过电场等离子体化为反应中的激活态分子或离子,并在特定条件下沉积在衬底上。在PECVD系统中,首先将反应室抽真空至高真空状态,然后在等离子体源产生高能电子通过电磁场加热气体形成等离子体,对气态前驱体进行等离子体化学反应,产生反应产物并在衬底上沉积为薄膜。
  PECVD系统有多种类型,根据不同的离子化方式可以分为射频、微波等离子体排放等多种形式。其中,射频等离子体排放方式最为常见。
  射频等离子体排放方式是通过高频电极和接收电极之间的电场产生等离子体。在等离子体反应中,通过控制前驱体的压力、流量、叠加比例等参数,控制反应过程中的离子浓度、温度、速度等参数,从而得到所需要的薄膜。
  PECVD技术具有多项优点,如沉积速度高、沉积质量好、材料可控性高等,能够满足复杂材料沉积的要求。同时,PECVD技术也存在一些问题,如材料不均匀性、产率低、设备成本高等。
  在实际应用中,通过调整PECVD系统的工艺参数、优化设备结构以及改进气体进料装置等措施,可以克服其存在的问题,并在微电子、光电、平板显示、储能等领域获得广泛应用。
  综上所述,PECVD系统是一种非常重要的材料加工设备,具有多项优点,但也面临一些挑战。在这方面,需要通过不断地技术创新和设备改进,使其在实际应用中的性能不断地得到提高,从而更好地满足各种应用领域的需求。

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