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  • 20237-21
    真空石墨炉的详细解析

    一、引言真空石墨炉,作为现代材料加工领域的重要设备,以其真空环境和石墨加热元件,为各种材料的烧结和热处理提供了高效、纯净的加工环境。本文将围绕真空石墨炉的定义、原理、技术特点、应用领域、操作与维护、发展趋势等方面进行详细的解析,旨在为读者提供全面而深入的了解。二、真空石墨炉的定义与原理定义:真空石墨炉,是一种在真空环境下,以石墨作为发热元件的真空电阻炉。它通过石墨电阻产生的热量,使炉腔内达到高温,进而实现对材料的烧结和热处理。原理:真空石墨炉的加热原理主要基于石墨的电阻特性。...

  • 20237-12
    高温管式炉的燃烧和加热过程

    高温管式炉的燃烧和加热过程通常包括燃料燃烧、热能传递和物料加热三个主要步骤。下面是对这些步骤的详细描述:燃料燃烧:使用燃料进行燃烧以产生热能。常见的燃料包括天然气、液化石油气、重油、煤等。燃料通过喷嘴或燃烧器引入炉膛内,与空气或氧气混合后,在适当的燃烧条件下发生燃烧反应。燃料的燃烧产生高温燃烧气体,包括燃烧产物和未燃烧的残余物。热能传递:通过热能传递将燃烧产生的热能传递给待加热的物料或工作介质。炉膛内的燃烧气体经过炉膛的管道或管束,与管道外的物料或工作介质进行热交换。燃烧气体...

  • 20236-2
    间歇式回转炉的工作原理

    间歇式回转炉是一种用于钢铁生产的高效炼钢设备,它采用旋转炉体和氧气喷枪相结合的方式,在炼钢过程中不断加入氧气,以便快速将炉内的原料加热至高温并获得足够的氧化反应。本文将从工作原理、优点等方面对它进行介绍。工作原理:在炉体内部有一个旋转的炉壳,这个炉壳通常是高炉炼钢的一半大小。底部是一个射流口,通过这个射流口向炉内喷入气体。在炼钢过程中,首先将炉内填充预热好的铁水和废钢块等原料,然后启动炉子开始旋转。同时向炉内注入纯氧气,使炉内形成强烈的还原气氛,加速原料的加热和氧化反应。在整...

  • 20235-5
    使用高温管式炉需要注意以下几点

    高温管式炉是一种常用的高温实验设备,通常用于材料的烧结、成型、退火等工艺过程。在使用过程中需要严谨的操作和维护保养。只有正确使用和保养,才能保证设备长期稳定运行,并获得准确可靠的实验结果。使用时需要注意以下几点:1、选用合适的炉管和加热元件高温管式炉的炉管通常由高纯度的氧化铝陶瓷制成,具有耐高温、耐腐蚀等优点。加热元件可以选择电阻丝、硅碳棒等材料。在选用炉管和加热元件时需要考虑所需的最高温度、加热速率等因素。2、确定加热程序在使用高温管式炉进行实验时,需要根据实验要求确定加热...

  • 20234-6
    管式电阻炉具有高温抗氧化、耐腐蚀的性能

    管式电阻炉是一种常见的工业热加工设备,主要用于高温加热、熔融金属和热处理等工艺。其基本结构包括炉体、加热管、控制系统等部分。此外,它还具有灵活性高、效率高、使用环保等特点,是当前工业生产中*热处理设备之一。基本结构:是由炉体和加热管组成的。炉体通常采用不锈钢板材制成,具有高温抗氧化、耐腐蚀的性能。加热管是电子电器元器件,通常由钨丝制成,也有一些新型的钨铼合金加热管出现。进行高温加热时,加热管会产生较大的电磁场和热量,从而使炉体内的物质得到了充分的加热。其次,控制系统是管式电阻...

  • 20233-22
    旋转管式炉石英管边缘破碎怎么回事?

    旋转管式炉是一种常用于高温反应的设备,由于其石英管的高耐受性和高透光性,被广泛应用于生产中。然而,在使用过程中,有时会出现石英管边缘破碎的情况,对设备的正常运转造成影响,那么石英管边缘破碎的原因及解决方法是什么呢?下面就来详细探讨。一、石英管边缘破碎的原因1、热胀冷缩引起的应力集中在使用过程中,石英管会受到热胀冷缩的影响,特别是当石英管处于长时间高温的状态下,导致管内气体逐渐膨胀,表面的应力也逐渐增加。而当石英管因为某种原因快速冷却时,管内气体会突然收缩,熔体会凝固,这时石英...

  • 20233-6
    使用旋转管式炉会遇到的一些常见问题

    旋转管式炉在材料科学和地质学等研究领域有许多应用,适用于高温下持续流动的颗粒状或颗粒状物料的热处理。适合需要在空气或惰性气氛中处理的材料。在高温下变粘的材料不适合。具体应用包括:矿石的气态还原以及矿石和冶金炉渣的分析,合成:催化剂;油漆的颜料;油板岩的煅烧;陶瓷的稀土金属掺杂。下面我们一起来看使用旋转管式炉会遇到哪些常见的问题:1、可以处理多少材料?它可以是批量处理炉(TSO)或连续处理炉(TSR)。批次的容量在620到1740毫升的范围内,而连续炉可以处理高达收集料斗进料容...

  • 20232-16
    PECVD系统的结构及工艺原理说明

    PECVD系统具有优良的电学性能、良好的衬底附着性以及台阶覆盖性,正由于这些优点使其在超大规模集成电路、光电器件、MEMS等领域具有广泛的应用。适用于室温至1200℃条件下进行Si02、SiNx薄膜的沉积,同时可实现TEOS源沉积,Sic膜层沉积以及液态气态源沉积其它材料,尤其适合干有机材料上高效保护层膜和特定温度下无损伤钝化膜的沉积。膜制备工艺在超大规模集成电路技术中有着非常广泛的应用,按照其成膜方法可分为两大类:物理气相沉积(PVD)和化学气相沉积(CVD)。等离子增强型...

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