PECVD系统就是为了使传统的化学气象沉积反应温度降低，普通CVD设备的沉积温度大多在900℃左右，而在普通CVD装置的前端加入RF射频感应装置将反应气体电离，形成等离子体，利用等离子体的活性来促进反应，可以使化学气相沉积的温度降到400℃左右，所以这个系统称为增强型化学气相沉积系统。 PECVD综合了国内大多数厂家的PECVD系统的优点，触摸屏集中一键控制，实验证明此结构沉积速度快，成膜质量好，针孔较少，不易龟裂。而且控制部分采用了自主研发的实验电炉AIO全自动智能控制系统，使得操作更加简便，功能更加强大。
产品用途：
PECVD系统是借助射频使含有薄膜组成原子的气体电离，在局部形成等离子体，而等离子体化学活性很强，很容易发生反应，在基片上沉积出所期望的薄膜。
主要特点：
1、智能气路通断：每路气体均可定时通断，自由切换，省时省力；
2、射频功率的定时控制：预先设定好功率的大小和打开与关闭的时间，自动运行；
3、整机结构融为一体：整机长度只有1.5米，移动方便，避免分散组装的困扰。
4、AIO控制系统：加热控制、等离子射频控制、气体流量控制、真空系统控制集中于一个7英寸触摸屏进行统一集中调节和操控，协调控制：成仪AIO控制系统；
5、炉膛移动速度可调：根据实验要求，用户可设定炉膛左右移动的速度和距离，在沉积结束后炉膛可自动移开沉积区，使样品快速冷却；
6、管内真空度自动平衡：管内真空度实时监测，自动平衡。PECVD工艺要求石英管内真空度通常在0.1～100Pa之间，PECVD的AIO控制系统会通过真空泵的自动启停来维持用户设定的管内真空度，使成膜效果达Z佳的均匀性。
时间：2021-11-15
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