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使用化学气相沉积炉做实验时有如下几个特点

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   CVD技术主要使用的设备是化学气相沉积炉,该设备主要应用于各种CVD实验,也可用于真空烧结、真空气氛保护烧结、纳米材料制备、电池材料制备等多研究领域。
  化学气相沉积是一种化工技术,该技术主要是利用含有薄膜元素的一种或几种气相化合物或单质、在衬底表面上进行化学反应生成薄膜的方法。化学气相淀积是近几十年发展起来的制备无机材料的新技术。化学气相淀积法已经广泛用于提纯物质、研制新晶体、淀积各种单晶、多晶或玻璃态无机薄膜材料。这些材料可以是氧化物、硫化物、氮化物、碳化物,也可以是III-V、II-IV、IV-VI族中的二元或多元的元素间化合物,而且它们的物理功能可以通过气相掺杂的淀积过程精确控制。化学气相淀积已成为无机合成化学的一个新领域。
  使用化学气相沉积炉做实验时,有如下特点:
  1、设备的工艺操作都较简单、灵活性较强,能制备出配比各异的单一或复合膜层和合金膜层;
  2、CVD法的使用性较广泛,可制备各种金属或金属膜涂层;
  3、因沉积速率可高达每分钟几微米到数百微米,因此生产效率高;
  4、与PVD法相比较绕射性好,非常适宜涂覆形状复杂的基本,如槽沟、涂孔甚至盲孔结构均可镀制成膜;
  5、涂层致密性好,由于成膜过程温度较高,膜基界面上的附着力很强,故膜层十分牢固;
  6、承受放射线辐射后的损伤较低,能与MOS集成电路工艺相融合。
  CVD技术的不足,一是沉积温度高可达800-1100°C,在这样高的温度下工件易于变形,特别是对于那些不耐高温变化的高精度尺寸的工件,对于其用途会受到一定的限制,二是由于参与沉积的反应物质及反应后的气体大都具有易燃、易爆、有毒或是一定腐蚀性,因此需要采取一定的防护措施。

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