CVD是化学气相沉积（Chemical Vapor Deposition）的缩写，指高温下的气相反应，如金属卤化物、有机金属、碳氢化合物等的热分解、氢还原或其混合物气体在高温下的化学反应，以沉淀金属、氧化物、碳化物和其他无机材料。这项技术最初是作为一种涂覆手段开发的，但目前不仅应用于耐热材料的涂覆，还应用于高纯度金属的精炼、粉末合成、半导体膜等，这是一个颇具特色的技术领域。
CVD管式炉技术特点是：⑴可在低温下合成高熔点材料；⑵沉淀物质的形式有单晶、多晶、晶须、粉末、薄膜等；⑶它不仅可以涂覆在基材上，也可以涂覆在粉末表面上。特别是在低温下，它可以合成高熔点的材料，为节能做出了贡献。作为一项新技术，它具有巨大的前景。 例如，a-Al2O3和SiC可以在约1000℃下合成，并朝着较低的温度发展。
CVD工艺可分为两种：一种是使金属卤化物与含碳、氮、硼等的化合物在气相中发生反应；另一种是使加热基材表面的原料气体进行热分解。
CVD装置由气化部分、载气精制部分、反应部分和废气处理部分组成。目前，正在开发用于大规模生产的新设备。
CVD在多组分系统的气相中进行，包括原料气、反应产生的副产物气、载气等。因此，当涂覆时，在加热的基材和流体之间的边界上形成扩散层。该层的存在对涂层的密度有很大影响。图2显示了该扩散层的示意图。这样，虽然存在许多化学分子形成的扩散层，但其沉淀过程是复杂的。在粉末合成过程中，控制核的形成和生长是该过程的关键。
作为一种新的CVD技术，有以下几种：
（1） 具有流动层的CVD；
⑵流化床；
⑶热解射流；
（4） 等离子CVD；
（5） 真空CVD等。
CVD管式炉的特点
沉积温度低，膜组成易于控制，膜厚度与沉积时间成正比，均匀性、重复性和台阶覆盖率良好。
CVD制备的必要条件
1） 在沉积温度下，反应物具有足够的蒸汽压力，并且可以以适当的速度引入反应室；
2） 除形成固体膜材料外，反应产物必须是挥发性的；
3） 沉积的膜和基底材料必须具有足够低的蒸汽压。
时间：2023-02-14
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