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CVD管式炉

产品简介

CVD管式炉(Chemical Vapor Deposition Tubular Furnace)是一种将气相反应产生的化学物质沉积在加热基底上形成薄膜的装置。通常由炉体、加热系统、保护气体系统、反应气体系统、真空系统组成,它是一种广泛应用于材料制备领域的基础设施。

产品型号:
更新时间:2024-02-28
厂商性质:生产厂家
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一、CVD管式炉产品应用

  CVD管式炉主要用于石墨、陶瓷、锂电池、稀有金属、稀土、生物材料等在气氛保护下进行烧结、镀膜、热处理、灰分测定等,也适用于石墨烯、碳纳米管、二硫化钼等二维材料的制备。

二、CVD管式炉产品特点

1、炉膛材料采用进口陶瓷纤维,呈现温场均衡、表面温度低、升温速率快、节能等优点;

2、电热元件采用进口高电阻合金丝,表面负荷高,发热速度快;

3、炉体两端采用铰链结构的不锈钢密封法兰,方便操作、耐高温、耐腐蚀;

4、保护管采用高纯石英管、耐温1150℃;

5、加热区长度达400mm,温场更均匀;

6、左右两端采用气动支撑杆,方便上炉体的开启;

7、密封性好,配合扩散泵或分子泵,炉子真空度可达10-3pa;

8、炉体采用双层空气隔热技术,配有自动冷却风扇,降低炉体外壳温度;

9、炉体整体安装四个万向轮,方便整体移动;

10、采用程序控温系统可编辑30段程序控温,控温精度±1℃,移相触发、可控硅控制;

三、CVD管式炉技术参数

1200℃(电阻丝)

 

 品名

 

 型号

 

炉管尺寸

 

 加热区长度mm

 

恒温区长度mm 

 

 真空度

 

温区 

 

可通气体 

 

加热元件 

 

双温区管式炉

 

HTF1200-6/40-II 

 

φ60*1000 

 

400 

 

200 

 

-0.1MPa 

 

双温区 

 

氮气/氧气/氩气 

 

电阻丝 

 

HTF1200-8/40-II 

 

φ80*1000 

 

400 

 

200 

 

-0.1MPa 

 

双温区 

 

氮气/氧气/氩气 

 

电阻丝 

 

HTF1200-10/40-II 

 

φ100*1000 

 

400 

 

200

 

-0.1MPa 

 

双温区 

 

氮气/氧气/氩气 

 

电阻丝

   CVD管式炉(Chemical Vapor Deposition Tubular Furnace)是一种将气相反应产生的化学物质沉积在加热基底上形成薄膜的装置。通常由炉体、加热系统、保护气体系统、反应气体系统、真空系统组成,它是一种广泛应用于材料制备领域的基础设施。
  应用于半导体材料和微电子器件的生产,但如今已广泛应用于各种领域,包括石墨烯、锗、石英玻璃、高温超导体、纳米材料和生物传感器等。在石墨烯生产中,CVD管式炉是一种产生高质量单晶石墨烯的关键装备,它提供了可重复的、高通量的石墨烯生长过程。
  原理是在真空或惰性气体环境下,通过控制反应气体流量、温度、压力等条件,使反应气体在加热基底表面上发生化学反应,生成沉积物。反应气体通常是有机气体、无机化合物、金属有机配体等,而基底可以是单晶、石墨、二氧化硅等不同材料的片状或管状结构。
  其结构一般是由炉体和炉盖两部分组成,炉体内腔为管状结构,基底通过管道进行进出,可以自动或手动控制基底的进出和旋转。管内的加热装置一般采用电阻片加热器,在加热的同时可以通过控制带状加热器的功率来实现均匀加热,温度范围一般可以达到2000℃。炉体的密封性,以及炉体与炉盖的连接方式均对CVD管式炉的效果产生影响。
  通常,CVD管式炉在石墨烯生长过程中的工作原理如下。将经过化学处理的石墨片放置到炉管中,并通过氢气进行还原。然后在炉内加入含有碳源的气体混合物,如乙烯或甲烷,它们会在炉内分解,形成游离的碳原子。当这些碳原子沉积在石墨片上时,就会形成单层石墨烯。反应气体需要通过真空泵进行排放,否则会影响反应结果。
  优点是可以实现大面积、均匀、可重复的材料制备过程。与其它制备方法相比,它生产出的样品表面光洁度高、结晶度高、质量好,同时可以生产不同形状和尺寸的样品,可广泛应用于材料制备和器件制造。
  缺点也比较明显,主要表现在以下几个方面。首先,炉体一般较大,需要占用比较大的空间。其次,生产成本较高,反应气体、基底等设备与物料需要较高的成本。此外,操作过程需要较大的安全成本,需要进行安全关键参数的控制。
  综上所述,CVD管式炉作为材料制备设备,已经实现了从微电子到各个领域的转化应用,并取得了显著的进展。CVD管式炉制备的材料在未来的应用领域中将会有着广阔的应用前景。

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