13311665350
13311665350
技术文章
TECHNICAL ARTICLES金属基复合材料除了具有高比强度、高比模量和低膨胀系数等特点外，还具有良好的耐热性、高韧性、耐老化性、高导电和高导热性，同时还能抗辐射、阻燃、不吸潮、不放气等特点。通过不同材料的组合，可以人为地制造出符合科技与工业生产要求的复合金属材料，可以应用于机械制造、冶金、交通、船舶、制药等多个领域。1、金属基复合材料的研究历史及发展现状在２０世纪６０年代，由于传统金属材料无法满足一些国家对于高性能武器装备以及航空技术发展的需求，因此人们开始了对新材料的研究和开发，促成了金属基复合材料的...
金属基复合材料（MetalMatrixcomposites,MMCs）主要是指以金属、合金为基体材料，以纤维、晶须、颗粒等高强度材料作为增强体，制备而成的一种复合材料。MMCs的常用的制备方法有：粉末冶金法、原位生成复合法、喷射成形法、铸造凝固成型法等。按照不同增强相可以分为连续纤维增强（主要有碳及石墨纤维、碳化硅纤维、硼纤维、氧化铝纤维、不锈钢丝和钨丝）、非连续纤维增强（包括碳化硅、氧化铝、碳化硼等颗粒增强，碳化硅、氧化铝、等晶须增强，氧化铝纤维等短纤维增强）和叠层复合三类...
随着电子产业的发展，电子产品正在向着质量轻、厚度薄、体积小、功耗低、功能复杂、可靠性高这一方向发展。这就要求功率模块在瞬态和稳态情况下都要有良好的导热导电性能以及可靠性。功率模块的体积缩小会引起模块和芯片电流、接线端电压以及输入功率的增大，从而增加了热能的散失，由此带来了一些了问题如温度漂移等，会严重影响功率器件的可靠性，加速器件的老化。为了解决高温大功率器件所面临的问题，近年来，纳米银烧结技术受到了越来越多研究者的关注。图1苹果手机主板上的器件集成度越来越高低温烧结互连技术...
碳化硅SiC晶体生长较常见，较成熟的方法仍然是物理气相输运法（PVT），该方法是一种气相生长方法，生长温度高，对原材料以及工艺参数等都有很高的要求。近年来，国内外对PVT工艺的开发投入了大量的时间和精力，SiC晶体的质量和尺寸等方面有了很大的突破和提高，但是晶体中仍然存在组织缺陷和微观应力。组织缺陷的存在会恶化SiC基器件的性能，从而影响器件的应用，而应力的存在则会使得SiC晶体在加工阶段容易碎裂，从而降低SiC晶片的成品率。因此，降低SiC晶体中存在的组织缺陷和微观应力就显...
碳化硅SiC是一种由硅﹙Si﹚与碳﹙C﹚以共价键为主结合而成的化合物，其基本单元为Si-C四面体，其中Si原子位于中心，周围为C原子。SiC所有的结构均由Si-C四面体以不同的堆积方式构成。目前已发现的碳化硅同质异型晶体结构有200多种，其中六方结构的4H型SiC（4H-SiC）具有高临界击穿电场、高电子迁移率的优势，是制造高压、高温、抗辐照功率半导体器件的优良半导体材料，也是目前综合性能好、商品化程度高、技术成熟的第三代半导体材料，它具有：（1）临界击穿电场强度是硅材料近1...
20世纪90年代初兴起了一种新的靶材烧结方法-常压烧结法，它是指在一定气氛和温度条件下对ITO靶材的素坯进行烧结，通过对烧结过程中各因素的控制，来有效控制ITO素坯晶粒的生长，从而达到靶材的晶粒分布均匀性及高致密化，该方法对粉末的烧结活性和靶材变形的控制都有很高的要求。通常靶材尺寸越大，溅射到平板上的拼缝就越少，价值也越高。国外可以做宽1200毫米、长近3000毫米的单块靶材，国内只能制造不超过800毫米宽的。日企ITO制备工艺1.日本东曹公司日本东曹公司的的技术方案中，将粒...
ITO（氧化铟锡）是制备ITO导电玻璃的重要原料。ITO靶材经溅射后可在玻璃上形成透明ITO导电薄膜，其性能是决定导电玻璃产品质量、生产效率、成品率的关键因素。ITO靶材性能的重要指标是成分、相结构和密度，ITO溅射靶材的成分为In2O3+SnO2，氧化铟与氧化锡成分配比通常为90:10（质量比），在ITO靶材的生产过程中必须严格控制化学氧含量及杂质含量，以确保靶材纯度。ITO靶材制备流程ITO靶材的成型工艺制备出成分均匀、致密度较高的初坯，对经过低温热脱脂和烧结后工艺处理得...
随着钢铁、机械、化工等重化工业逐渐向发展中国家转移，热处理对中国制造业的振兴和发展具有重要的支撑作用，而制造业的发展也必将带动中国热处理行业的快速发展，为中国热处理行业的发展提供广阔的发展空间，行业的发展前景广阔。不过，管式炉厂家上海皓越觉得，虽然中国热处理行业发展迅猛、前景广阔，但面对着新产品不断开发、老产品更新换代的快速发展形势，虽然目前我国热处理企业的生产装备可以满足生产需求，但热处理行业有的“专、精、特”企业群体尚未形成，专业技术人员短缺，新技术的推广应用困难；全行业...
当前位置：
