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  • 20211-25
    SPS放电等离子烧结机理简介

    放电等离子体烧结(SPS)是一种快速烧结方法,在低的大气压下利用轴向力和脉冲电流对粉末进行高速加热固化的烧结技术。这种加热方式能够施加非常高的加热温度,能够大幅提升致密度(见下图),将纳米粉末的固有性质保持在其致密的产品中。SPS系统的基本结构如下图所示。该系统主要包含垂直加压系统、水冷系统、气氛控制系统,脉冲电流发生器和控制器等。粉末材料堆叠在烧结模具腔室中,在轴向压力和脉冲电流的共同作用下,温度迅速升高到高于环境温度1000~2500℃,从而在几分钟内就能生产出高质量的烧...

  • 202012-28
    多层金属复合材料的制备工艺

    根据多层复合材料在制备过程中组员材料的不同物理状态,可以将多层复合材料的制备方法大体分为三类:固相-固相复合、液相-固相复合、液相-液相复合。固相-固相复合的方法主要有爆炸焊接法,轧制法、扩散法,以及不同的方法组合,我司研制的真空热压烧结设备以及sps烧结设备也可应用在该领域。液相-固相复合主要包括铸轧法、反向凝固法、堆焊法、喷射沉积法等。液相-液相复合主要包括电磁连铸法等。本期着重介绍固相-固相复合的方法。爆炸焊接法:爆炸焊接法是以炸药作为能源,利用爆炸产生的高速冲击作用于...

  • 202012-22
    多层金属复合材料研究现状

    随着科学技术的发展和进步,对材料的性能要求也越来越高,传统材料由于结构单一,综合性能不够突出,难以满足对多性能耦合要求的服役环境。但是由多种不同性能的材料通过物理或者化学方法结合制备而成的复合材料,既能保持各组元材料*的性能,也能取长补短,产生协同效应,使新制备的复合材料综合性能远优于各组员材料的性能,从而满足不同复杂工况的要求。自然界中也有很多类似的结构,软/硬相结合的多层结构可以提高其强度硬度的同时也能有很好的韧性。下图为贝类外壳的层状结构。图1贝类外壳显微结构由于异种金...

  • 202012-15
    金属基复合材料的制备

    近些年来,科技的不断发展和进步,使得传统材料已无法满足多种产业对其比强度、比刚度等性能的要求。高性能材料的研发是现今新科技发展的重要方向,而复合材料的出现在较大程度上解决了材料所面临的问题,促进了材料的发展。复合材料是由2种或2种以上不同性质的材料,通过物理或化学的方法,在宏观(微观)上组成的具有新性能的材料。由于具备较高的比强度和比刚度,金属基复合材料的研究和发展受到了众多行业尤其是重工业的密切关注,然而加工困难是限制其工业应用的瓶颈问题,成本控制问题也并没有得到完*,所以...

  • 202012-11
    金属基复合材料的发展现状

    金属基复合材料除了具有高比强度、高比模量和低膨胀系数等特点外,还具有良好的耐热性、高韧性、耐老化性、高导电和高导热性,同时还能抗辐射、阻燃、不吸潮、不放气等特点。通过不同材料的组合,可以人为地制造出符合科技与工业生产要求的复合金属材料,可以应用于机械制造、冶金、交通、船舶、制药等多个领域。1、金属基复合材料的研究历史及发展现状在20世纪60年代,由于传统金属材料无法满足一些国家对于高性能武器装备以及航空技术发展的需求,因此人们开始了对新材料的研究和开发,促成了金属基复合材料的...

  • 202011-30
    金属基复合材料

    金属基复合材料(MetalMatrixcomposites,MMCs)主要是指以金属、合金为基体材料,以纤维、晶须、颗粒等高强度材料作为增强体,制备而成的一种复合材料。MMCs的常用的制备方法有:粉末冶金法、原位生成复合法、喷射成形法、铸造凝固成型法等。按照不同增强相可以分为连续纤维增强(主要有碳及石墨纤维、碳化硅纤维、硼纤维、氧化铝纤维、不锈钢丝和钨丝)、非连续纤维增强(包括碳化硅、氧化铝、碳化硼等颗粒增强,碳化硅、氧化铝、等晶须增强,氧化铝纤维等短纤维增强)和叠层复合三类...

  • 202011-23
    碳化硅半导体封装核心技术分析——银烧结技术

    随着电子产业的发展,电子产品正在向着质量轻、厚度薄、体积小、功耗低、功能复杂、可靠性高这一方向发展。这就要求功率模块在瞬态和稳态情况下都要有良好的导热导电性能以及可靠性。功率模块的体积缩小会引起模块和芯片电流、接线端电压以及输入功率的增大,从而增加了热能的散失,由此带来了一些了问题如温度漂移等,会严重影响功率器件的可靠性,加速器件的老化。为了解决高温大功率器件所面临的问题,近年来,纳米银烧结技术受到了越来越多研究者的关注。图1苹果手机主板上的器件集成度越来越高低温烧结互连技术...

  • 202011-16
    碳化硅晶体的高温退火处理

    碳化硅SiC晶体生长较常见,较成熟的方法仍然是物理气相输运法(PVT),该方法是一种气相生长方法,生长温度高,对原材料以及工艺参数等都有很高的要求。近年来,国内外对PVT工艺的开发投入了大量的时间和精力,SiC晶体的质量和尺寸等方面有了很大的突破和提高,但是晶体中仍然存在组织缺陷和微观应力。组织缺陷的存在会恶化SiC基器件的性能,从而影响器件的应用,而应力的存在则会使得SiC晶体在加工阶段容易碎裂,从而降低SiC晶片的成品率。因此,降低SiC晶体中存在的组织缺陷和微观应力就显...

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